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记忆

 

1T-SRAM

静态存储(1T-SRAM)。 采用1T-SRAM技术制造的内存相比传统的6晶体管SRAM道路体积明显减少(仅为第九项),此外更小更高效,而1T-SRAM也将节省功耗,低功耗是另一个优势。

1T-Flash

跨越隧道氧化物提供统一的电位,从过多的统一场可以让你擦除存储单元。

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